Samsung ввел в действие 30-нм технологию

Samsung Electronics объявила о начале поставок 32 Гб модулей moviNAND — встраиваемых карт памяти с высочайшей на сегодняшний день плотностью записи, произведенных по 30-нанометровой NAND технологии.

Samsung Electronics объявила о начале поставок 32 Гб модулей moviNAND — встраиваемых карт памяти с высочайшей на сегодняшний день плотностью записи, произведенных по 30-нанометровой NAND технологии. Использование карт памяти высокой плотности оправдано для hi-end телефонов и других мобильных устройств, где требуются большие объемы памяти для хранения мультимедиа-контента: видео, фото, игр и т.д.

 

32-Гб карты moviNAND — первые встраиваемые карты, основанные на 30-нанометровой технологии. Новые модули Samsung имеют вдвое большую плотность записи по сравнению с картами предыдущего поколения moviNAND, которые производятся по 40-нанометровой технологии и имеют объем 16 Гб.

 

Каждое 32-Гб устройство moviNAND состоит из восьми 32Гб NAND чипов, контроллера карт MMC и прошивки. 30-нанометровые устройства Samsung также доступны объемами 16, 8 и 4 Гб. Собственные moviNAND модули Samsung поддерживают встраиваемый стандарт  MMC (eMMC) и используют высокоскоростной интерфейс, совместно разработанный JEDEC и MMCA (MultiMediaCard Association). Самая последняя спецификация (eMMC v4.3) имеет функцию быстрой загрузки и сниженное время перехода в спящий режим, что сокращает энергопотребление.

Согласно прогнозам компании, спрос на высокоплотные модули памяти будет постоянно расти. Прогноз исследовательской компании iSuppli говорит о том, что поставки 32Гб и более объемных модулей NAND вырастут в восемь раз: со 120 млн штук в 16Гб эквиваленте, поставленных в 2009 году (13% глобальных поставок карт памяти) до 950 млн или 72% общего объема рынка в 2013 году. //www.mobile-review.com

Комментариев нет

  1. antonshvedov6:

    Супер, ребята, так держать beer

Добавить комментарий